An Analytical Approach for Electronic Properties of Semiconductors Quantum Well Wires

In this work a theoretical investigation of the electronic properties of quasi-one dimensional semiconductor systems is presented. An approximately analytical self-consistent approach is used for the calculation of the energy subbands and electron density. The electron – impurity and electron – electron interaction potentials are calculated for a two subband model, for a cylindrical quantum wire. The analytical results for the electron –impurity and electron-electron interaction potentials are in good agreement with the results of the model calculations. With my analytical results I discuss various aspects of the electronic properties of semiconductors quantum well wires, such as the binding energy of shallow impurity, screening, intrasubband Plasmon, and the mobility.  Keywords : Electronic properties, Shallow impurity, Semiconductors, Quantum well wires, One dimensional systems .

هذه دراسة نظرية للخصائص الإلكترونية لنظم شبه موصلة ذات بعد واحد تقريباً. استخدم نهج تحليلي متناسق تقريباً لحساب نطاقات الطاقة الفرعية والكثافة الإلكترونية. تم استعمال إلكترون – شوائب وإلكترون – إلكترون كجهد تفاعلي لنموذج نطاقي الطاقة، لسلك اسطواني كمي. وكانت النتائج التحليلية للإلكترون– شوائب وإلكترون – إلكترون للجهد التفاعلي تتوافق مع نتائج حسابات النموذج. باستعمال النتائج التحليلية تم مناقشة مجالات مختلقة للخواص الإلكترونية للأسلاك شبه الموصلة الكمومية مثل طاقة الربط للشوائب الضحلة، فصل الطيف الفرعي الداخلي، طيف الطاقة المثارة، وسرعة انتقال الإلكترون. الكلمات المفتاحية: الخواص الإلكترونية، الشوائب الضحلة، أشباه الموصلات، البئر الكمومي لسلك، أنظمة أحادية البعد.